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         简单说明了旁路和退耦之后，我们来看看芯片工作时是怎样在电源线上产生干扰的。我们建立一个简单的IO Buffer模型，输出采用图腾柱IO驱动电路，由两个互补MOS管组成的输出级驱动一个带有串联源端匹配电阻的传输线（传输线阻抗为Z0）。

假设初始时 刻传输在线各点的电压和电流均为零，在某一时刻器件将驱动传输线为高电平，这时候器件就需要从电源管脚吸收电流。在时间T1，使PMOS管导通，电流从PCB板上的VCC流入，流经封装电感Lv，跨越PMOS管，串联终端电阻，然后流入传输线，输出电流幅度为VCC/（2×Z0）。电流在传输线网络上持续一个完整的返回（Round-Trip）时间，在时间T2结束。之后整个传输线处于电荷充满状态，不需要额外流入电流来维持。当电流瞬间涌过封装电感Lv时，将在芯片内部的电源提供点产生电压被拉低的扰动。

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          1.电容器的连续运行电压为1.00Un，电容器回收商，且能在如下表所规定的稳态过电压下运行相应的时间。 2.能为电容器所耐受而不受到显著损伤的过电压值取决于持续时间、总的次数和电容器的温度。 3.高于1.15Un的过电压是以在电容器的寿命期间发生总共不超过200次为前提确定的。 允许在由于过电压和高次谐波造成的有效值为额定电流的1.30倍的稳态过电流下运行。对于电容具有偏差的电容器，稳态过电流允许达到额定电流的1.43倍。 4.电容偏差为：-5%~+10%。 5.损耗角正切值tarδ(在额定电压下，20℃时)a.采用膜纸复合介质的产品不大于0.0012。b.采用全膜介质的产品不大于0.0005(不含内熔丝)。c.带内熔丝的电容器损耗角正切值、在定货时协商确定。 6.电容器分户内型和户外型，并有适合于湿热地区，高原地区及污秽地区等各种特殊环境用的产品。 7.产品技术性能符合GB3983-89、GB/T11024-2001《高低压并联电容器》国家标准及lEC871-1(1987)要求。

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