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         就整个电源分布系统来说（Power Distribute System）来说，这就是所谓的电源电压塌陷噪声。因为芯片输出的开关操作以及芯片内部的操作，需要瞬时的从电源抽取较大的电流，废的自愈式并联电容器有回收的吗，而电源特性来说不能快速响应该电流变化，高速开关电源开关频率也仅有MHz量级。为了保证芯片附近电源在线的电压不至于因为SSN和地弹噪声降低超过器件手册规定的容限，这就需要在芯片附近为高速电流需求提供一个储能电容，这就是我们所要的退耦电容。

因为寄生参数的影响，尤其是ESL的影响，实际电容的频率特性表现出阻抗和频率成“V”字形的曲线，沧州电容器，低频时随频率的升高，电容阻抗降低；当到点时，电容阻抗等于ESR；之后随频率的升高，阻抗增加，表现出电感特性（归功于ESL）。因此对电容的选择需要 考虑的不仅仅是容值，还需要综合考虑其他因素。

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1.  使用条件：环境温度-25℃~+50℃，湿度≤85%，海拔2000米以下；

2.  额定电压：250V.AC，400V.AC，525V.AC，690V.AC，750V.AC，1050V.AC；

3. 额定容量：1~100Kvar；

4. 容量允差：0~+10%；

5. 损耗角正切值：在工频额定电压下，20℃时tgδ≤0.1%；

6. 交流耐电压：极间1.75倍额定电压10秒钟，极壳间3KV10秒钟；

7允许过电压：1.10倍额定电压；

8. 允许过电流：1.30倍额定电流；

9. 自放电性：电容器加√2Un直流电压，断开电源3分钟后，剩余电压为50V或更低。