廊坊电容器、长城电器回收、电解电容器回收厂家 ：

        在时间T3，关闭PMOS管，这一动作不会导致脉冲噪声的产生，因为在此之前PMOS管一直处于打开状态且没有电流流过的。同时打开NMOS管，这时传输线、地平面、封装电感Lg以及NMOS管形成一回路，有瞬间电流流过开关B，这样在芯片内部的地结点处产生参考电平点被抬高的扰动。该扰动在电源系统中被称之为地弹噪声（Ground Bounce，我个人读着地tan）。

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1.  使用条件：环境温度-25℃~+50℃，湿度≤85%，衡水电容器，海拔2000米以下；

2.  额定电压：250V.AC，400V.AC，525V.AC，690V.AC，750V.AC，1050V.AC；

3. 额定容量：1~100Kvar；

4. 容量允差：0~+10%；

5. 损耗角正切值：在工频额定电压下，20℃时tgδ≤0.1%；

6. 交流耐电压：极间1.75倍额定电压10秒钟，极壳间3KV10秒钟；

7允许过电压：1.10倍额定电压；

8. 允许过电流：1.30倍额定电流；

9. 自放电性：电容器加√2Un直流电压，断开电源3分钟后，剩余电压为50V或更低。

        在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。

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